Intel продвигает технологии двумерных транзисторов 2DFET

Компания Intel объявила о значительном прогрессе в производстве двумерных транзисторов 2DFET, которые имеют толщину всего в несколько атомов. Несмотря на то, что такие транзисторы исследуются более десяти лет, их массовое производство оставалось под вопросом. На недавней презентации Intel Foundry и imec продемонстрировали интеграцию критически важных технологических модулей для 2DFET на 300-миллиметровых пластинах, что свидетельствует о реальных возможностях этих технологий.

Современные методы производства полупроводников, такие как GAA, сталкиваются с физическими ограничениями кремниевых каналов. В ответ на это, отрасль обращается к двумерным материалам, которые могут создать каналы толщиной в несколько атомов. Intel и imec разработали процесс интеграции контактов и затворов, который совместим с массовым производством и позволяет сохранить целостность чувствительных 2D-каналов. Эта работа, хотя и не приведет к немедленному внедрению 2D-транзисторов, значительно снизит риски при их разработке и производстве в будущем.