Масштабная кража технологий DRAM у Samsung: обвинения и последствия

В Центральном округе Сеула прокуратура предъявила обвинения десяти лицам, которые причастны к крупномасштабному хищению технологий производства DRAM-памяти 10-нм класса у компании Samsung Electronics. Среди обвиняемых пятеро, включая экс-сотрудников компании, уже находятся под стражей. Ущерб, причинённый Samsung, составляет 5 триллионов вон (приблизительно 3,5 миллиарда долларов), что негативно сказывается на экономике Южной Кореи, оцениваемом в десятки триллионов вон. Расследование выявило, что китайская компания ChangXin Memory Technologies (CXMT), основанная в 2016 году, привлекла бывшего начальника отдела Samsung для руководства своими разработками. В сотрудничестве с другими экс-сотрудниками он организовал схему похищения технологий. Один из перебежчиков скопировал сотни этапов 18-нм производственного процесса, над которым Samsung работала в течение пяти лет, потратив 1,6 трлн вон. Преступники создали подставную компанию и использовали собственный кодовый язык для общения, чтобы избежать задержаний. Полученные данные адаптировались под китайское оборудование, что позволило CXMT начать производство продвинутой памяти в 2023 году, сократив технологическое отставание. Прокуратура рассматривает этот случай как угрозу национальной безопасности, поскольку полупроводниковая отрасль составляет более 20% экспорта Южной Кореи. Власти пообещали продолжать жесткие меры против незаконной передачи технологий за границу.