Обвинения против ChangXin Memory Technologies в утечке технологий памяти

Южнокорейская прокуратура выдвинула обвинения против ChangXin Memory Technologies (CXMT) в связи с утечкой технологий, используемых в производстве микросхем памяти. Эти технологии сыграли ключевую роль в прорывах Китая в области искусственного интеллекта, сообщает Reuters. В рамках дела задержаны пять человек, включая бывшего руководителя и инженеров Samsung Electronics, за нарушение закона о защите промышленных технологий. Остальные пять фигурантов были отпущены под залог.

Прокуроры отметили, что один из бывших сотрудников Samsung, перешедший в CXMT, скопировал множество этапов запатентованных процессов DRAM и детально описал технические характеристики оборудования. Эти заметки использовались для воспроизведения производственного процесса. Кроме того, CXMT получила доступ к дополнительным технологиям от SK Hynix, что ускорило ее развитие.

В прокуратуре сообщили, что украденные технологии касались 10-нанометровых процессов DRAM, на которые Samsung потратила 1,6 трлн вон, и что только она могла их коммерциализировать. CXMT уже начала производство DRAM по этим технологиям, что стало значительным достижением для компании. Убытки для Samsung оцениваются в десятки триллионов вон. CXMT, которая планирует выход на Шанхайскую биржу с оценкой в 42 миллиарда долларов, недавно представила новое поколение DRAM DDR5, ставшее конкурентом южнокорейских аналогов.