Samsung запускает массовое производство HBM4 для Nvidia

Samsung Electronics, ведущий игрок в области технологий, планирует начать массовое производство памяти HBM4 уже в следующем месяце. Ожидается, что одним из главных потребителей этих высокопроизводительных чипов станет компания Nvidia, использующая их в своих будущих вычислительных ускорителях, включая ожидаемую серию Rubin. Этот шаг подчеркивает стремление Samsung укрепить свои позиции на рынке высокопропускной памяти, где она конкурирует с SK hynix, уже имеющим значительное преимущество. HBM, что расшифровывается как High Bandwidth Memory, представляет собой уникальный тип DRAM, где чипы расположены вертикально в трехмерной конструкции, обеспечивая высокую пропускную способность при низком энергопотреблении — это особенно важно для современных систем ИИ и суперкомпьютеров. Новая версия HBM4 обещает дальнейшее увеличение скорости и объема памяти по сравнению с HBM3E, что позволит обрабатывать более сложные ИИ-модели. Подготовка к поставкам также включала квалификационные испытания с участием ключевых клиентов, таких как Nvidia и AMD. Первые образцы были отправлены на валидацию еще осенью, что свидетельствует о серьезной подготовительной работе. В то же время SK hynix развивает свои мощности, включая новый завод M15X для удовлетворения растущего спроса на память для ИИ-ускорителей.