Китай создает новый источник экстремального ультрафиолетового излучения для литографии

Китайские ученые разработали настольный источник экстремального ультрафиолетового излучения (EUV), что являеся ключевым шагом в достижении независимости страны в производстве микрочипов. Новая технология позволяет создавать чипы с топологией 14 нанометров. Хотя эта разработка не сможет полностью заменить машины ASML, она представляет собой полезную альтернативу для мелкосерийного производства микросхем. Также новый источник может быть использован для инспекции чипов и разработки прототипов квантовых процессоров. Вместо традиционного метода, использующего лазерно-индуцированную плазму, данное устройство применяет фемтосекундный лазер и газ аргон, что упрощает конструкцию и позволяет генерировать длины волн от 1 до 200 нанометров. Несмотря на меньшую мощность, новый источник обеспечивает достаточную яркость для проверки фотошаблонов и макетов экспериментальных чипов. Из-за доступности и низкой стоимости, такая техника становится актуальной для Китая, который испытывает трудности с закупкой оборудования ASML, и представляет собой серьёзный шаг к устойчивому развитию и снижению зависимости от западных технологий.