Южнокорейские производители памяти сохраняют инвестиции в китайские предприятия

Во времена президентства Байдена власти США пытались ограничить возможности южнокорейских производителей памяти по модернизации и расширению их китайских фабрик, поставляющих ключевую часть продукции на мировой рынок. Тем не менее, компании Samsung и SK hynix сохранили доступ к американскому оборудованию и продолжили обновление производства в Китае.

По данным Business Korea, в 2023 году Samsung Electronics вложила в модернизацию завода в Сиане $344 миллиона — это на 67,5% больше, чем в предыдущем году. Завод выпускает микросхемы NAND и предоставляет до 40% продукции Samsung на глобальном рынке. Инвестиции в этот объект ранее были нерегулярными: после $464 миллионов в 2019 году компания не вкладывала значительных средств в течение четыре лет, пока в 2023 году не увеличила финансирование.

SK hynix в 2023 году инвестировала свыше $663 миллионов в китайские предприятия в Уси и Даляне, где выпускается DRAM и 3D NAND (завод Intel). Инвестиции на заводе DRAM выросли до $190 миллионов, а фабрика 3D NAND получила $293 миллиона, что в 1,5 раза больше по сравнению с 2022 годом. Общие вложения впервые превысили важную отметку в 1 триллион вон в национальной валюте.

Растущий спрос на память в связи с развитием искусственного интеллекта подтолкнул компании к расширению производства. Samsung планирует запустить в Китае 236-слойные микросхемы 3D NAND, уступающие по технологии домашнему производству с 400 слоями, учитывая ограничения на технологический прогресс в Китае. SK hynix модернизирует производство DRAM в Уси, переходя на четвёртое поколение 10-нм техпроцесса, что повысит эффективность выпуска DDR5. Этот завод производит более 30% от общего мирового объёма DRAM компании.