Россия начнёт разработку литографа для чипов с топологией 90 нм

В 2026 году Россия приступит к созданию литографа для чипов по технологии 90 нм. Об этом сообщил 20 марта заместитель министра промышленности Василий Шпак на конференции по радиоэлектронной промышленности. Исполнитель работ будет определён через конкурс, однако подробности о проекте пока не раскрыты. Разработка литографов осуществляется Зеленоградским нанотехнологическим центром (ЗНТЦ) совместно с белорусским предприятием «Планар». На данный момент ЗНТЦ работает над литографами для топологий 350 нм и 130 нм, но участие в конкурсе пока не подтверждено. Ожидается, что в ноябре 2026 года завершится разработка 130-нм степпера стоимостью 6 млн долларов, обеспечивающего скорость обработки 100-140 пластин в час. По мнению эксперта Дмитрия Пшиченко, создание нового литографа может занять до 10 лет и потребовать значительных вложений. Он также подчеркнул важность наличия экосистемы для успешного производства чипов. Алексей Бойко из RUSmicro добавил, что существующий литограф можно адаптировать для создания 90-нм чипов с помощью доработок.