Российская дорожная карта для ультрафиолетовой литографии

Институт физики микроструктур Российской академии наук представил дорожную карту, направленную на разработку отечественных установок экстремальной ультрафиолетовой литографии. Ожидается, что передовая система, способная производить процессоры и однокристальные системы с техпроцессом 10 нм и ниже, будет создана в течение следующих десяти лет. В отличие от литографов ASML, российские устройства будут использовать уникальные технологии, такие как гибридные твердотельные лазеры и источники света на основе ксеноновой плазмы. Это позволит избежать загрязнения фотошаблонов и снизить затраты на обслуживание. Дорожная карта включает три этапа: первый – создание литографа для 40-нм техпроцесса (2026-2028), второй – разработка сканера для 14-нм (2029-2032), третий – система для чипов с разрешением менее 10 нм (2033-2036). Каждое новое поколение будет отличаться улучшенной оптикой и более низкой стоимостью продукции по сравнению с системами ASML.